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開發實例

智能辨識

晶圓平坦化CMP設備

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晶圓平坦化.jpg

​案例說明

​通訊世代進入5G的時代,對矽基晶圓的平坦化要求進入了新的境界,傳統化學機械研磨已經無法達成如此高精度的規格需求,因此以電漿轟擊是唯一可行的解法。

惟這樣的解決方案,主要的瓶頸除了電漿能量的控制,重要的是路徑的算法,它牽涉到整個平坦化的時間與品質,根據3次元量測的數據,必須精確快速運算整體路徑並控制電漿能量轟擊的時間與速度方能達成世界級的水平!

總體效益

利用電漿汽化減薄晶圓片表面不平整之處
超高速汽化路徑規劃,30分鐘內完成單一晶圓片剪薄
晶圓片平整度差值(TTV)小於17奈米,直逼世界領導大廠J-TEC
兼具高產能/高精度/低成本優勢
已商品化導入半導體代工龍頭廠供應鏈
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